近日，九峰山實驗室在氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得重大突破，為電子材料生產(chǎn)帶來革命性進展。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率、高熱導(dǎo)率和寬帶隙特性，在電力電子、射頻通信和光電子等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。此次突破主要體現(xiàn)在材料制備工藝的優(yōu)化上，實驗室通過創(chuàng)新性的氣相外延技術(shù)，成功提升了氮化鎵薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和均勻性，同時降低了生產(chǎn)成本。

這一進展不僅解決了傳統(tǒng)制備方法中常見的缺陷密度高、效率低等問題，還為大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。實驗室團隊采用多步溫度控制法和新型襯底材料，顯著提高了氮化鎵材料的電子性能，使其在高溫、高頻環(huán)境下表現(xiàn)更加穩(wěn)定。測試數(shù)據(jù)顯示，新制備的氮化鎵器件在功率轉(zhuǎn)換效率上提升了15%以上，同時散熱性能得到顯著改善。

九峰山實驗室的成果對電子材料行業(yè)具有重要意義。隨著5G通信、新能源汽車和物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，對高性能半導(dǎo)體材料的需求日益增長。氮化鎵材料的突破將加速相關(guān)設(shè)備的迷你化、高效化進程，有望在下一代電子設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用。實驗室負責(zé)人表示，未來將繼續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)界的合作，推動氮化鎵材料從實驗室走向規(guī)模化應(yīng)用，助力中國電子材料產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新與全球競爭力提升。